本报讯　英特尔公司昨天宣布其已经成功生产出了全球首款采用45纳米制程技术的全功能SRAM（静态随机存取内存）芯片。45纳米制程技术将被大规模应用于制造英特尔公司的下一代芯片。

这一重大成就说明英特尔正向着在2007年利用45纳米制程技术在300毫米晶圆上生产芯片这一目标快速迈进。同时，它还意味着英特尔将继续致力于推进摩尔定律的延伸，每两年推出新一代全新制程工艺技术。

目前，英特尔在大批量生产65纳米芯片方面居于行业领先地位，并已经拥有两家65纳米芯片制造工厂，分别位于美国亚利桑那州和俄勒冈州。2006年，英特尔在爱尔兰和美国俄勒冈州还将有两家新的65纳米芯片制造工厂全面投产。

英特尔公司副总裁兼技术与制造事业部总经理BillHolt谈到：“作为首家率先推出45纳米芯片成品并已经具有大规模65纳米芯片生产能力的公司，表明英特尔在芯片技术和芯片制造方面的领先地位。”

英特尔45纳米制程技术将提供比现有芯片低5倍的漏电率。这将显著延长移动设备的电池使用寿命，并推进体积更小但功能更强大的平台的构建。

45纳米SRAM芯片包含超过10亿个晶体管。虽然SRAM不作为英特尔产品，但在处理器和其它逻辑芯片采用45纳米制造工艺之前，SRAM证明了其出色的技术性能、制程良率（processyield）与芯片可靠性。这是朝着迈向大规模生产全球最复杂设备这一目标的关键的第一步。 （张军）

(观宇/编制)